반도체 장비개발 중
HBM 적층 공정을 위한 본딩 장비 개발
HBM 패키징을 대상으로 Chip-to-Wafer TC Bonding과 Hybrid Bonding 장비를 개발하고 있습니다. 칩 핸들링, 본딩과 열 제어를 함께 검토합니다.
- 모델·제품군
- TC / Hybrid
- 적용 공정
- HBM·첨단 패키징 / Die Bonding
- 상태 기준일
- 2026.09.23
주요 특징
01
Chip-to-Wafer TC Bonding 개발
02
Hybrid Bonding 개발
03
HBM 적층 공정에 맞춘 칩 핸들링·열 제어
개발 목표 및 검토 사양
- TC Bonding 개발 대상
- HBM3E / HBM4
- Hybrid Bonding 개발 대상
- HBM5 / HBM6
- 개발 범위
- 칩 핸들링 / 본딩 / 열 제어
HBM 세대별 대응은 개발 목표입니다. 상용 공급 완료 사양을 의미하지 않으며, 상세 일정과 평가 조건은 개별 상담으로 안내합니다.
옵션·맞춤 제작 범위
고객 공정의 적층 구조와 열 조건에 따른 공동개발 및 적용 가능성을 검토합니다.
적용 검토 요청